NANDblock

2015年8月11日—Block.為nandflashchip寫入的最小單位,每64page即為一個block，因為pagesize會有不同，blocksize也 ...,2020年10月30日—一个Device有若干个Die(或者叫LUN)，每个Die有若干个Plane，每个Plane有若干个Block，每个Block有若干个Page，每个Page对应着一个Wordline。,2021年2月25日—如上圖所示，這是一個8Gb50nm的SLC顆粒內部架構。每個page有33,792個單元，每個單元代表1bit(SLC)，所以每個page就是4096Byte+128Byt...

參考資訊如下
Nand flash - 開發日記...

2015年8月11日 — Block. 為nand flash chip 寫入的最小單位, 每64 page 即為一個block，因為page size 會有不同，block size 也 ...

Nand Flash入门基本概念原创

2020年10月30日 — 一个Device有若干个Die(或者叫LUN)，每个Die有若干个Plane，每个Plane有若干个Block，每个Block有若干个Page，每个Page对应着一个Wordline。

NAND flash原理

2021年2月25日 — 如上圖所示，這是一個8Gb 50nm的SLC顆粒內部架構。 每個page有33,792個單元，每個單元代表1bit(SLC)，所以每個page就是4096Byte + 128Byte。 每個Block ...

NAND flash的特性

2011年5月4日 — Nand Flash 在出廠時會經過比較嚴格的測試，以便找出潛在的bad block。 出廠時，bad block會被標記在block的 的spare area。 (Initial Invalid Block)

Nandflash 存在壞塊，壞掉了嗎?

2021年3月22日 — 一般來說在出廠時Nandn Flash即可能會有壞塊存在。這是規格定義。 壞塊的分佈有連續性或隨機散落在不同位址但數量會限制在Nand flash Block 總數的 ...

SSD筆記- 第三篇FTL, GC | Blog

因為nand flash 的物理特性， flash memory 存取時必須要遵循特定規則，如果我們了解 ... block 清空，更新為log block。這類最佳化手段也稱為switch-merge, swap-merge ...

SSD筆記- 第六篇結論| Blog

並確定你了解效能指標的意義，且該數據有達到你的需求。 Pages and blocks. 鄰近的cell會再組成可被讀寫的最小單位page, nand-flash 的page/分頁 ...

Understanding Bad Block Management in NAND Flash ...

NAND flash memory is a cost-effective data storage technology that provides scalable capacity and performance. Bad block management is designed.

壞塊管理(Bad Block Management)

出廠壞塊（Factory Original Bad Block）. 由晶圓經過檢測、切割、封裝等眾多流程才會封裝成NAND Flash顆粒(NAND Flash晶片)；在這過程中，NAND Flash顆粒裡面可能會 ...